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domingo, 7 de agosto de 2016

INTEL FAZ TESTES COM TECNOLOGIA 3D XPOINT, ATÉ 10 VEZES MAIS RÁPIDA QUE SSD

A inovadora tecnologia 3D Xpoint, da Intel, está prestes a mexer com o mercado de armazenamento e memória computacional com sua velocidade impressionante e alta capacidade, mas a fabricante ainda está tentando descobrir as melhores combinações para a tecnologia. Desenvolvida por Intel e Micron, a 3D Xpoint é uma nova classe de memória e armazenamento que pode ser mais rápida, densa e durável do que o armazenamento em flash e DRAM convencional. A Intel alega que a 3D Xpoint é 10 vezes mais densa do que a memória, e já mostrou anteriormente que pode ser até 10 vezes mais rápida do que SSDs convencionais. Os novos SSDs 3D Xpoint, que serão chamados de Optane, serão enviados para as fabricantes até o final deste ano. Já as memórias DIMMs 3D Xpoint chegam no ano que vem, afirmou o CEO da Intel, Brian Krzanich durante evento nesta semana. Alguns SSDs 3D Xpoint já foram enviados para testadores, principalmente provedores de nuvem, para ajudar a “desembrulhar” diferentes usos para a tecnologia, segundo o CEO. A Intel está tentando descobrir onda a multi-dimensional 3D Xpoint - que pode ser memória, armazenamento, ou as suas quando necessário - pode ser melhor usada. A Intel já pensou em algumas boas combinações para a 3D Xpoint. Os SSDs mais rápidos e de maior capacidade podem ser atraentes para gamers, com um nível de desempenho pelo qual eles almejam. “Você pode pré-carregar em um ambiente como cache a próxima fase do seu game para que ela carregue quase que instantaneamente”, afirma o executivo. Os primeiros SSDs com a tecnologia serão direcionados para PCs top de linha como máquinas para games e desktops corporativos. Os SSDs Optane também estarão disponíveis para laptops e armazenamento em empresas, de acordo com Krzanich. A Intel disse que vai colocar 1TB de armazenamento em um drive Optane de 1,5 de espessura para laptops e tablets, e até 15TB em um drive maior de 6,35cm. Os SSDs serão compatíveis com o protocolo NVMe e se encaixam em entradas PCI-Express. Eles devem funcionar com PCs Windows e Macs que possuam armazenamento compatível com PCIe. Do lado das empresas, a Intel ainda está tentando descobrir como a 3D Xpoint se encaixa melhor com servidores e racks. “Começamos a enviar unidades de amostra para os consumidores já testá-las e aprenderem. Essas irão para as grandes provedoras de serviço na nuvem”, disse o CEO. O Facebook está colaborando com a Intel na 3D Xpoint como parte do Open Compute Project. As empresas devem tornar o Optane compatível com o Lightning, um design open-source de armazenamento. A tecnologia 3D Xpoint poderia ser usada em aplicações de base de dados e big data, que costumam gerar e processar grandes quantidades de dados. Quanto maior a capacidade da memória, maior a velocidade de processamento dos dados. FONTE: http://idgnow.com.br/ti-pessoal/2016/07/22/intel-faz-testes-com-tecnologia-3d-xpoint-ate-10x-mais-rapida-que-ssd/

segunda-feira, 12 de maio de 2014

IBM DIZ ESTAR CRIANDO MEMÓRIA QUE É 275 VEZES MAIS RÁPIDA QUE O SSD

A IBM e a Universidade de Patras, na Grécia, estão trabalhando lado a lado em uma tecnologia que, no futuro, pode acabar com os chips SSD que todos conhecemos hoje e garantir que possamos acessar os dados 275 vezes mais rápido que os padrões atuais. Trata-se do Projeto Theseus, que tenta combinar o sistema NAND convencional com memórias DRAM de mudança de fase em um único controlador. O objetivo final é a construção de um componente de uso muito mais eficiente que os encontrados hoje, tanto em termos energéticos quanto na velocidade de armazenamento e acesso. A mágica, que na verdade tem mais a ver com ciência do que com feitiçaria, está relacionada com a forma como a nova tecnologia trabalha ao lado dos vidros de calcogeneto que são usados para guardar informações. Aquecendo-os rapidamente, eles podem mudar de estado entre suas formas cristalina e amorfa. A primeira é lida como o 1 binário e possui baixa resistência, enquanto a segunda representa o 0 e tem estrutura bastante forte. O processo é capaz de realizar alterações extremamente rápidas entre esses dois estados e, ainda, armazenar informações em uma situação intermediária entre eles. O resultado dessa mudança rápida de formato é a latência extremamente baixa e alta durabilidade, que pode chegar a milhões de ciclos contra os cerca de 30 mil encontrados hoje nas memórias SSD convencionais. Além disso, sobre o fator que pode acabar sendo o decisivo para tornar a adoção da tecnologia como padrão, os chips baseados em mudança de fase são muito mais baratos e podem ser produzidos de maneira mais rápida. Para a IBM, a economia de recursos pode chegar à casa dos bilhões de dólares tanto na fabricação dos chips em si quanto na economia de escala devido à facilidade e rapidez maior na manufatura. Nesse caso, o foco é, também, um setor que se beneficiaria bastante com as reduções nos custos: o de servidores e grandes sistemas de armazenamento, que necessitam de respostas rápidas às procuras por dados e uma latência que nunca é baixa o suficiente. Longe da aplicação prática Trata-se ainda de um protótipo, mas mesmo nesse estado os resultados exibidos já são bastante impressionantes. Conforme o que foi exibido em gráficos divulgados pela IBM e publicados pelo site Extreme Tech, a solução de mudança de fase (chamada de PSS) é capaz de completar solicitações em até 500 microssegundos, enquanto outras infraestruturas usadas atualmente têm um tempo médio de resposta na casa dos 2.000 microssegundos. O principal problema da IBM no momento, porém, não se encontra no desenvolvimento da tecnologia em si, e sim, em fatores de mercado. A empresa está utilizando em seus testes memórias de 90 nm produzidas pela Micron, uma companhia que já anunciou o fim de sua produção de PCMs e a saída completa desse mercado. Ainda assim, a empresa permanece confiante de que esse é o caminho a seguir e, enquanto provavelmente busca um novo fornecedor, continua trabalhando nos aspectos físicos e técnicos de uma tecnologia que ainda não tem nenhuma previsão para chegar ao mercado. De uma coisa a IBM tem certeza: não há muita evolução que possa ser realizada nos SSDs atuais e a mudança de fase, bem provavelmente, é a nova geração em termos de memória. FONTE: http://corporate.canaltech.com.br/noticia/memoria/IBM-diz-estar-criando-memoria-que-e-275-vezes-mais-rapida-que-o-SSD/#ixzz31XQ6Po7K